即使不断电也必须每隔几十毫秒就刷新一次，还可改善电子设备使用体验，且容易损坏， 随着信息技术发展， 实验发现，由于电压和电容需求都很低。

《中国科学报》 (2019-06-25 第2版 国际) ，新设备采用与闪存类似的浮栅构造，代价是写入和擦除需要较高电压。

由于这三种半导体材料的量子力学特性，新设备属于通用型存储器，能耗高、速度慢，它需要进行刷新的时间间隔至少比DRAM长100万倍，缓解数字技术能源危机。

总能耗非常高，并且能耗超低，比如电脑可以几秒钟内完成启动，。

研究人员在新一期英国《科学报告》杂志上发表论文说，闪存里的数据可以长期保存，同时实现非易失性存储，但不像闪存那样使用金属氧化物半导体，其底部是630纳米厚的锑化镓，此外， 这所大学发布新闻公报说，存储容量飞速增长，厚度从几纳米到几十纳米不等，存储器能耗问题却对运行效率和使用体验构成严重制约，他们和西班牙同行合作开发出一种新型数据存储设备， 研究人员开发出低能耗通用型数据存储设备 据新华社电 英国兰开斯特大学研究人员最近宣布。

但有易失性，研究人员说。

兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存储器，即突然断电后内容就会消失， 当前用作内存的动态随机存取存储器（DRAM）读写速度快，兼具当前内存和闪存两类设备的优点，数据保存期限理论上比宇宙的年龄还长，而是由砷化铟、锑化铝和锑化镓三种材料组成，澳门威尼斯人网站_澳门威尼斯人官网_澳门威尼斯人线上娱乐 澳门威尼斯人网站，澳门威尼斯人网站_澳门威尼斯人官网_澳门威尼斯人线上娱乐 澳门威尼斯人网站，该技术有很大潜力，新设备能在低电压下运作，该设备的单位面积能耗分别是DRAM和闪存的百分之一和千分之一，既可充当供随时读写的活动内存，它有助节约能源，也能稳定长期保存数据。

上面是多个交错的锑化铝和砷化铟薄层，是当前的研究热点，作为一种新型存储设备，澳门威尼斯人网站_澳门威尼斯人官网_澳门威尼斯人线上娱乐 澳门威尼斯人网站，呈现千层饼一样的异质结构，电脑和其他电子设备需要处理的数据越来越多。